Yirminci yüzyılın başlarında kristal büyüme sürecini kontrol etmek için modern bilim ve teknolojinin ilkeleri sürekli olarak kullanıldı ve kristal büyümesi sanattan bilime evrilmeye başladı.Özellikle 1950'li yıllardan itibaren tek kristal silikonla temsil edilen yarı iletken malzemelerin geliştirilmesi, kristal büyüme teorisi ve teknolojisinin gelişimini teşvik etmiştir.Son yıllarda, çeşitli bileşik yarı iletkenlerin ve diğer elektronik malzemelerin, optoelektronik malzemelerin, doğrusal olmayan optik malzemelerin, süper iletken malzemelerin, ferroelektrik malzemelerin ve metal tek kristal malzemelerin geliştirilmesi bir dizi teorik soruna yol açmıştır.Ve kristal büyütme teknolojisi için giderek daha karmaşık gereksinimler öne sürülüyor.Kristal büyümesinin prensibi ve teknolojisi üzerine yapılan araştırmalar giderek önem kazanmış ve modern bilim ve teknolojinin önemli bir dalı haline gelmiştir.
Şu anda, kristal büyümesi yavaş yavaş kristal büyüme sürecini kontrol etmek için kullanılan bir dizi bilimsel teori oluşturmuştur.Ancak bu teorik sistem henüz mükemmel değildir ve hala deneyime dayalı birçok içerik bulunmaktadır.Bu nedenle yapay kristal büyütmenin genellikle işçilik ve bilimin bir birleşimi olduğu düşünülmektedir.
Tam kristallerin hazırlanması aşağıdaki koşulları gerektirir:
1. Reaksiyon sisteminin sıcaklığı eşit şekilde kontrol edilmelidir.Yerel aşırı soğumayı veya aşırı ısınmayı önlemek için kristallerin çekirdeklenmesini ve büyümesini etkileyecektir.
2. Kendiliğinden çekirdeklenmeyi önlemek için kristalizasyon süreci mümkün olduğu kadar yavaş olmalıdır.Çünkü kendiliğinden çekirdeklenme meydana geldiğinde birçok ince parçacık oluşacak ve kristal büyümesini engelleyecektir.
3. Soğutma hızını kristal çekirdeklenme ve büyüme hızıyla eşleştirin.Kristaller eşit şekilde büyür, kristallerde konsantrasyon gradyanı yoktur ve bileşim kimyasal orantılılıktan sapmaz.
Kristal büyütme yöntemleri ana fazın tipine göre dört kategoriye ayrılabilir: eriyik büyümesi, çözelti büyümesi, buhar fazı büyümesi ve katı faz büyümesi.Bu dört tip kristal büyütme yöntemi, kontrol koşullarındaki değişikliklerle birlikte düzinelerce kristal büyütme tekniğine dönüşmüştür.
Genel olarak, kristal büyüme sürecinin tamamı ayrıştırılırsa, en azından aşağıdaki temel süreçleri içermelidir: çözünen maddenin çözünmesi, kristal büyüme ünitesinin oluşumu, kristal büyüme ünitesinin büyüme ortamında taşınması, kristal büyümesi. Kristal büyümesini gerçekleştirmek için kristal yüzeyindeki element ve kristal büyüme arayüzünün geçişi.
Gönderim zamanı: Aralık-07-2022