fot_bg01

Ürünler

ZnGeP2 — Doymuş Kızılötesi Doğrusal Olmayan Optik

Kısa Açıklama:

Büyük doğrusal olmayan katsayılara (d36=75pm/V), geniş kızılötesi şeffaflık aralığına (0,75-12μm), yüksek ısıl iletkenliğe (0,35W/(cm·K)), yüksek lazer hasar eşiğine (2-5J/cm2) ve iyi işleme özelliğine sahip olması nedeniyle ZnGeP2, kızılötesi doğrusal olmayan optiğin kralı olarak adlandırılmış ve yüksek güçlü, ayarlanabilir kızılötesi lazer üretimi için hala en iyi frekans dönüşüm malzemesidir.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Ürün Açıklaması

Bu benzersiz özellikleri sayesinde, doğrusal olmayan optik uygulamalar için en umut verici malzemelerden biri olarak bilinmektedir. ZnGeP2, optik parametrik salınım (OPO) teknolojisi sayesinde 3–5 μm sürekli ayarlanabilir lazer çıkışı üretebilir. 3–5 μm atmosferik iletim aralığında çalışan lazerler, kızılötesi karşı ölçüm, kimyasal izleme, tıbbi cihazlar ve uzaktan algılama gibi birçok uygulama için büyük önem taşımaktadır.

OPO veya OPA prosesleri ile yüksek verimlilikte orta kızılötesi ayarlanabilir lazer üretmek için kullanılabilen, son derece düşük emilim katsayısı α < 0,05 cm-1 (2,0-2,1 µm pompa dalga boylarında) ile yüksek optik kalitede ZnGeP2 sunabiliyoruz.

Kapasitemiz

Dinamik Sıcaklık Alanı Teknolojisi, ZnGeP2 polikristalin sentezlenmesinde geliştirilmiş ve uygulanmıştır. Bu teknoloji sayesinde, tek seferde 500 gramdan fazla yüksek saflıkta, büyük tanecikli ZnGeP2 polikristalin sentezlenmiştir.
Yatay Gradyan Dondurma yöntemi, Yönlü Boyunlama Teknolojisi (dislokasyon yoğunluğunu etkili bir şekilde düşürebilir) ile birleştirilerek yüksek kaliteli ZnGeP2'nin yetiştirilmesinde başarıyla uygulanmıştır.
Dünyanın en büyük çapına (Φ55 mm) sahip kilogram düzeyindeki yüksek kaliteli ZnGeP2, Dikey Gradyan Dondurma yöntemiyle başarıyla büyütüldü.
Kristal cihazların yüzey pürüzlülüğü ve düzlüğü sırasıyla 5Å ve 1/8λ'dan daha az olup, tuzak ince yüzey işleme teknolojimiz sayesinde elde edilmiştir.
Kristal düzeneklerin nihai açı sapması, hassas oryantasyon ve hassas kesim tekniklerinin uygulanması sayesinde 0,1 dereceden azdır.
Mükemmel performansa sahip cihazlar, kristallerin yüksek kalitesi ve üst düzey kristal işleme teknolojisi sayesinde elde edilmiştir (3-5μm orta kızılötesi ayarlanabilir lazer, 2μm ışık kaynağı tarafından pompalandığında %56'dan daha büyük dönüşüm verimliliği ile üretilmiştir).
Araştırma grubumuz, sürekli keşif ve teknik yenilikler sayesinde, yüksek saflıktaki polikristalin ZnGeP2 sentez teknolojisinde, büyük boyutlu ve yüksek kaliteli ZnGeP2 büyütme teknolojisinde, kristal yönlendirmesinde ve yüksek hassasiyetli işleme teknolojisinde başarıyla uzmanlaşmıştır; yüksek homojenlik, düşük emilim katsayısı, iyi kararlılık ve yüksek dönüşüm verimliliğine sahip kütle ölçeğinde ZnGeP2 cihazları ve orijinal yetiştirilmiş kristaller sağlayabiliriz. Aynı zamanda, müşterilerimize kristal performans testi hizmetleri sunmamızı sağlayan eksiksiz bir kristal performans testi platformu oluşturduk.

Uygulamalar

● CO2-lazerin ikinci, üçüncü ve dördüncü harmonik üretimi
● 2,0 µm dalga boyunda pompalama ile optik parametrik üretim
● CO-lazerin ikinci harmonik nesli
● 70,0 µm ile 1000 µm arasında milimetre altı aralıkta tutarlı radyasyon üretmek
● CO2 ve CO-lazer radyasyonunun birleşik frekanslarının üretilmesi ve diğer lazerler kristal şeffaflık bölgesinde çalışmaktadır.

Temel Özellikler

Kimyasal ZnGeP2
Kristal Simetrisi ve Sınıfı dörtgen, -42m
Kafes Parametreleri a = 5,467 Å
c = 12,736 Å
Yoğunluk 4.162 g/cm3
Mohs Sertliği 5.5
Optik Sınıf Pozitif tek eksenli
Kullanışlı Şanzıman Aralığı 2,0 um - 10,0 um
Isıl İletkenlik
@ T= 293 K
35 W/m∙K (⊥c)
36 W/m∙K (∥ c)
Termal Genleşme
@ T = 293 K ila 573 K
17,5 x 106 K-1 (⊥c)
15,9 x 106 K-1 (∥ c)

Teknik Parametreler

Çap Toleransı +0/-0,1 mm
Uzunluk Toleransı ±0,1 mm
Yönlendirme Toleransı <30 yay dakikası
Yüzey Kalitesi 20-10 SD
Düzlük <λ/4@632.8 nm
Paralellik <30 yay saniyesi
Diklik <5 yay dakikası
Pah kırma <0,1 mm x 45°
Şeffaflık aralığı 0,75 - 12,0 ?m
Doğrusal Olmayan Katsayılar d36 = 68,9 pm/V (10,6 μm'de)
d36 = 75,0 pm/V (9,6 μm'de)
Hasar Eşiği 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm
1
2

  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazın ve bize gönderin